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太阳能薄膜电池一种关键技术：磁控溅射制备微晶硅薄膜

申请号： 申请公布号：
申请日： 申请公布日： 2017-01-17
申请（专利权）人：BI006134231 专利代理机构：
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专利介绍

目前在工业上广泛采用的CVD技术制备硅膜，工艺和设备复杂，成本高，且在安全和环保环节上投入巨大。我们在国内首创出了微晶硅薄膜的PVD法沉积工艺，在温度低于300度的条件下，在单晶硅片和普通玻璃片上制备出不同结晶度的微晶硅薄膜和纳米结构硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生长的微晶硅薄膜，并实现了控制工艺的稳定性和可重复性。利用磁控溅射技术成功实现微晶硅薄膜的制备是一项重大突破，从根本上克服了现有技术的缺点，具有绿色、高效、简单等优点。目前需要合作伙伴，把该实验室技术放大到工业规模。

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太阳能薄膜电池一种关键技术：磁控溅射制备微晶硅薄膜

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